• 2N7002DWQ-13-F [DIODES]

    DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET;
    2N7002DWQ-13-F
    元器件型號: 2N7002DWQ-13-F
    生產廠家: DIODES INCORPORATED    DIODES INCORPORATED
    描述和應用:

    DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

    開關 光電二極管 晶體管
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    型號參數:2N7002DWQ-13-F參數
    是否無鉛 不含鉛
    是否Rohs認證 符合
    生命周期Active
    IHS 制造商DIODES INC
    包裝說明GREEN, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6
    Reach Compliance Codecompliant
    ECCN代碼EAR99
    Factory Lead Time16 weeks
    風險等級5.77
    其他特性HIGH RELIABILITY
    配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    最小漏源擊穿電壓60 V
    最大漏極電流 (Abs) (ID)0.23 A
    最大漏極電流 (ID)0.23 A
    最大漏源導通電阻7.5 Ω
    FET 技術METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    最大反饋電容 (Crss)5 pF
    JESD-30 代碼R-PDSO-G6
    JESD-609代碼e3
    濕度敏感等級1
    元件數量2
    端子數量6
    工作模式ENHANCEMENT MODE
    最高工作溫度150 °C
    封裝主體材料PLASTIC/EPOXY
    封裝形狀RECTANGULAR
    封裝形式SMALL OUTLINE
    峰值回流溫度(攝氏度)260
    極性/信道類型N-CHANNEL
    最大功率耗散 (Abs)0.4 W
    參考標準AEC-Q101
    子類別FET General Purpose Power
    表面貼裝YES
    端子面層Matte Tin (Sn)
    端子形式GULL WING
    端子位置DUAL
    處于峰值回流溫度下的最長時間40
    晶體管應用SWITCHING
    晶體管元件材料SILICON
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