2N7002DWQ-13-F [DIODES]
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET;
| 元器件型號： | 2N7002DWQ-13-F |
| 生產廠家： | 
DIODES INCORPORATED
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| 描述和應用： | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 開關 光電二極管 晶體管 |
| PDF文件： | 總5頁 (文件大?。?17K) |
| 下載文檔： | 下載PDF數據表文檔文件 |
| 型號參數：2N7002DWQ-13-F參數 | |
| 是否無鉛 | 不含鉛 |
| 是否Rohs認證 | 符合 |
| 生命周期 | Active |
| IHS 制造商 | DIODES INC |
| 包裝說明 | GREEN, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代碼 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 16 weeks |
| 風險等級 | 5.77 |
| 其他特性 | HIGH RELIABILITY |
| 配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源擊穿電壓 | 60 V |
| 最大漏極電流 (Abs) (ID) | 0.23 A |
| 最大漏極電流 (ID) | 0.23 A |
| 最大漏源導通電阻 | 7.5 Ω |
| FET 技術 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反饋電容 (Crss) | 5 pF |
| JESD-30 代碼 | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代碼 | e3 |
| 濕度敏感等級 | 1 |
| 元件數量 | 2 |
| 端子數量 | 6 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作溫度 | 150 °C |
| 封裝主體材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封裝形狀 | RECTANGULAR |
| 封裝形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流溫度（攝氏度） | 260 |
| 極性/信道類型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.4 W |
| 參考標準 | AEC-Q101 |
| 子類別 | FET General Purpose Power |
| 表面貼裝 | YES |
| 端子面層 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 處于峰值回流溫度下的最長時間 | 40 |
| 晶體管應用 | SWITCHING |
| 晶體管元件材料 | SILICON |